酸化物半導体による透明エレクトロニクスに関する研究

研究概要

　本研究は、ワイドギャップ半導体の可視光透明性を活用した“透明回路”を実現し、存在を感じさせない“透明エレクトロニクス”を開拓する研究です。ガラスやメガネに必要なときだけ情報を表示する透明ディスプレイ、透明IDタグ、紫外線で発電する透明太陽電池など、これまでにない機能デバイスの実現を目指します。

透明エレクトロニクスに関する研究の一部は下記支援を受けて進めています。

• 科研費　基盤研究(C)　No.23560408　平成23～25年度
• 半導体理工学研究センター(STARC)　アイデアスカウト(IS045)　平成23～24年度
• JST A-STEP　FSステージ(探索タイプ)　平成22年度

(共同研究先)

• NHK放送技術研究所
  http://www.nhk.or.jp/strl/vision1/r5-1-3.htm

　透明トランジスタの応用例として、NHK放送技術研究所との共同研究により、赤(R)、緑(G)、青(B)のそれぞれの光に感度を有する有機光電変換膜と透明信号読み出し回路を積層し、厚み方向で色分離を行う新たなイメージセンサーの開発を行い、カラー撮像に成功しました。

　本技術は次世代放送規格である超高精細スーパーハイビジョン用単板イメージセンサー実現のキーテクノロジーとして期待され、NHK技研公開2010で紹介されるとともに、映像情報メディア学会から“丹羽高柳論文賞”(NHK技研と共同受賞)しました。